但是这里要注意，这里仅仅是在光刻胶上形成了图案，我们最终的目的是在硅晶圆片上形成电路线图。
随后我们把硅晶圆片放入到腐化剂上，这样在没有光刻胶保护的地方就会被腐化剂给腐蚀掉，从而在硅晶圆片上留下电路。
等电路图形成之后，用纯净水清洗表面就可以，去除杂质。
这个过程就像拿着手电筒照一个拥有漏洞的图案，这个漏洞是什么，就会在背后的墙上形成什么样的图案一样。
原理是一样的，主要是看精密度。
光刻机的精密度是纳米级别的。
如果仅仅说纳米级别，大家是感受不出来它的精密度到底有多么精密？
在这里可以打一个形象的比喻，大家都知道头发丝的厚度，如果不知道，我们可以从自己的头上拔一个看看。
纳米级别的精密度就是一根头发丝的五千分之一这么细。
想想吧，我们的一根头发分成5000份，纳米级别就是其中的五千分之一。
而光刻机的误差仅仅在两纳米之内。
光刻机有两个工作平台，这两个工作平台要保持同步，这就是所谓的机械精度，机械精度的误差也在两个纳米之内。
这两个工作平台一个是放硅晶圆片的，一个释放掩模的。
在光刻机上紫外光线发射器是不动的，而两个工作平台是同时移动的，这样可以提高芯片的成品率，但是对设备要求非常高。
这章没有结束，请点击下一页继续阅读！当然啦，光刻机不仅仅机械精密要求高，而且对于光源的要求也是非常高，里边儿蕴含着光学系统也是无比的复杂。
光刻机的光源有DUV，也有EUV.
所谓的EUV也就是极紫外光。
光刻机里面用极紫外光的，光刻机被称作EUV光刻机，可以说这是世界上最先进的光刻机，能生产五纳米乃至三纳米的芯片，掌握这种技术的仅仅只有米国一个国家。
我们国家也可以生产光刻机，但是精密度却没有那么高，我们自己生产的光刻机。被称作600系列光刻机。
它可以生产90纳米的芯片，是长城电子设备公司制造出来的，而外国的高科技也能生产五纳米的芯片了。
两者相比较，我们可以看出双方之间的差距来还是非常大的，这可不仅仅是一代的差距。是数代的差距。
要知道光刻机的精密度90纳米是一个难关，过了这难关之后，将密度进一步提升是非常容易的，前面一路舒坦。一直到45纳米才会遇见关卡。
过了45纳米这一关之后，下一关就是22纳米了……
后边还有很多关卡，我们自己制造的光刻机仅仅能制造90纳米的芯片，不过我们通过购买国外淘汰的光刻机，现在我们的中芯国际可以制造14纳米的芯片了。
事实就是这样，国外永远不会卖给我们最先进的东西。
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